OSI レーザーダイオード社の1300nmの端面放射型LED(light-emitting diodes)は、温度に対する安定したパワーとスペクトル特性を特色としています。
同社のMOCVD成長InGaAsPデバイスは、安定した14ピンのデュアルインラインパッケージ(DIP)にシングルモードかマルチモードの光ファイバ用に調整されています。DIPの2つのバージョンが提供されます。ロングホーンフランジ付きの標準パッケージは、サーミスタの付き/なしおよびペルチェ効果熱電気クーラー(クーラーパッケージ)のいずれかで構成されています。2つ目のフランジなし非冷却ロープロファイルパッケージもまた、スペースが制限されて温度制御が不要なアプリケーション向けにご利用可能です。
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