Hydrogen Silsesquioxane Resist

HSQフォトレジスト

AQMは、電子グレードのシルセスキオキサンベース(シリコンと酸素コア、H-SiOxで構成される)樹脂を合成するための便利で汎用性の高い方法を開発しました。このタイプのポリマー/樹脂は、ナノリソグラフィデバイス製造用途向けの非常に効率的なネガ型の光および電子ビームレジストです。当社のH-SiOxブランドのポリマーは、薄膜製造用の一般的な有機溶媒(トルエンやメチルイソブチルケトンなど)中で均質な溶液を作るのに最適な分子量を持っています。膜厚にもよりますが、10nm以下のハーフピッチの緻密なパターンを作ることが出来ます。AQM社の品質管理プロセスやパッケージング、保管方法により、H-SiOxの貯蔵寿命が長くなり、長期にわたってレジストの性能が維持されます。

カスタマイズされたレジスト配合や現像剤、または制御されたドーピングを組み込むための異なる末端官能基を持つシルセスキオキサンの改質などのオプション製品については、お問い合わせください。

 

Feature

HSQフォトレジストH-SiOxの特徴

■長期間の保管が可能: 1年間のシェルフライフ		■高解像度: 5nm台の線幅を実現
■常に同じ粘度: 使う前に溶媒と混合するので増粘しません		■濃度調整が可能: 広い範囲の膜厚を作れます
■廃棄量が減らせます: 長期保存できて、少量で購入できます

 

Catalog & Technical Documents

  HSQフォトレジストカタログ

  HSQフォトレジスト技術資料

  MIBK 溶媒との混合マニュアル

  株式会社エリオニクス様の評価結果

  H-SiOx(粉体)カタログ

  H-SiOxに関する論文

 

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